Produção piloto MPW de circuitos integrados fotónicos (FIS) em SiN
A MGTU N. E. Bauman e a empresa federal estatal unitária VNIIA anunciaram a abertura de candidaturas para o primeiro arranque contratual de fabrico de circuitos integrados fotónicos (FIS) no formato MPW (Multi Project Wafer), no qual a área das bolachas é partilhada entre diferentes clientes. A primeira plataforma tecnológica disponível é um processo baseado em nitreto de silício (SiN), concebido para assegurar perdas ultrabaixas do sinal útil até 0,05 dB/cm.
Quem pode submeter encomendas e como é financiado
Podem colocar encomendas grupos científicos da Academia Russa das Ciências, universidades, empresas industriais e startups. Este arranque piloto é totalmente financiado pela MGTU N. E. Bauman.
Especificações do processo e PDK
De acordo com o plano, a produção está focada no desenvolvimento de FIS com perdas ópticas mínimas e com possibilidade de modulação termo-óptica do sinal. No lote piloto serão fabricadas FIS assentes em guias de onda de nitreto de silício com espessura de camada de 220 nm, dimensão mínima de elementos de 70 nm e espaçamentos mínimos de 200 nm.
A base do pacote de projecto tecnológico (Process Design Kit, PDK) inclui componentes desenvolvidos e testados pela equipa de fotónica de EKB FIS do cluster Quantum Park, concebidos para garantir perdas mínimas de sinal.
Áreas de aplicação das FIS em nitreto de silício
As áreas de aplicação das FIS em nitreto de silício abrangem computação quântica e de alto desempenho, sensores industriais e biossensores, microfluídica, sistemas de telecomunicações, lidars de estado sólido, AR/VR, entre outras.
Prazos: candidaturas até 30 de maio de 2026; chips no 3.º trimestre de 2026
A recepção de candidaturas decorre até 30 de maio de 2026, e a disponibilização dos chips do lote piloto está prevista para o terceiro trimestre de 2026.
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